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Technische Ratgeber

Gasphasenfiltration in Halbleiterfabs: die Wahl chemischer Medien

2026-09-27 · Aktualisiert 2026-10-30

Luftgetragene molekulare Kontamination geht direkt durch HEPA-Filter. Wie sie eingeteilt wird, warum Ammoniak und Säuren Wafern und Elektronik schaden und wie Aktivkohle und imprägnierte Medien ausgewählt werden.

Das Wichtigste

  • HEPA-Filter entfernen Partikel, keine Gase. Molekulare Kontaminanten brauchen chemische Filtration.
  • AMC wird in Säuren, Basen, kondensierbare organische Stoffe und Dotierstoffe eingeteilt (SEMI F21), und ISO 14644-8 klassifiziert die Konzentration auf einer logarithmischen Skala.
  • Säuren an alkalisch imprägnierte Kohle, Basen (Ammoniak, Amine) an sauer imprägnierte Kohle, organische Stoffe an Aktivkohle, H₂S an Permanganat-Aluminiumoxid.
  • Medium und Betttiefe werden aus Gasen, Konzentrationen, Volumenstrom, Temperatur und Feuchte gewählt und durch Überwachung bestätigt.

Kontamination, die kein HEPA-Filter fängt

Eine moderne Fab kann ihre Partikelzahlen auf ISO-Klasse 3 oder besser halten und trotzdem Ausbeute durch Kontamination verlieren, die kein Partikelzähler sieht. Luftgetragene molekulare Kontamination (AMC) ist gasförmig: Säuren wie HCl und SO₂, Basen wie Ammoniak und Amine, organische Verbindungen und Dotierstoffe. Sie tritt in Konzentrationen auf, die viel zu gering sind, um sie zu riechen, oft im ppb-Bereich oder darunter, und reicht doch aus, um eine Oberfläche zu verändern.

Gasmoleküle messen nur Bruchteile eines Nanometers, sind tausendfach kleiner als die Partikel, für die ein HEPA-Filter gebaut ist, und haften nicht wie Partikel an Glasfasern. Sie gehen hindurch, sofern sie nicht adsorbiert oder neutralisiert werden. Das ist die Aufgabe der chemischen Filtration.

Warum ppb zählen

Der erste gut dokumentierte Fall kam aus der Lithografie. Anfang der 1990er-Jahre zeigten IBM-Forscher, dass chemisch verstärkte Fotolacke, die mit einer kleinen Menge photogenerierter Säure arbeiten, empfindlich auf Basen in der Luft reagieren. Spuren von Ammoniak oder Aminen neutralisieren die Säure an der Lackoberfläche, sodass die Oberseite der belichteten Struktur nicht entwickelt wird und die Linien ein T-förmiges Profil erhalten, das sogenannte T-Topping [4]. Seitdem gehört die Kontrolle von Basen zu jedem Lithografiebereich.

Säuren richten anderen Schaden an. Sie korrodieren Metallbahnen, Kontakte und Bondpads und greifen Kupfer und Silber in Steuer- und Leistungselektronik an. Kondensierbare organische Stoffe lagern sich auf Wafern, Optiken und Retikeln ab und können die Haftung von Schichten verändern. Dotierstoffe wie Bor- und Phosphorverbindungen können die elektrischen Eigenschaften der Bauelemente verschieben.

Wie AMC eingeteilt wird

Die Halbleiterindustrie gruppiert AMC nach chemischem Verhalten. SEMI F21 nutzt vier Familien: Säuren (MA), Basen (MB), kondensierbare organische Stoffe (MC) und Dotierstoffe (MD), mit Klassen nach Konzentration für jede Familie [2]. ISO 14644-8 bietet ein allgemeines Verfahren für jeden Reinraum: Die chemische Luftreinheit wird als ISO-ACC-Klasse N ausgedrückt, wobei die Konzentration eines Stoffes oder einer Gruppe 10ᴺ g/m³ beträgt, für Konzentrationen von 10⁰ bis 10⁻¹² g/m³ [1]. Eine Konzentration von 1 µg/m³ (10⁻⁶ g/m³) entspricht ISO-ACC-Klasse −6.

Für Leitwarten, Rechenzentren und Elektroräume ist ANSI/ISA-71.04 maßgeblich, die die Korrosivität der Luft anhand der Korrosionsschicht einstuft, die in 30 Tagen auf Kupfer- und Silbercoupons wächst [3].

Schweregrade nach ISA-71.04 nach Kupferreaktivität (30 Tage Coupon-Exposition)
SchweregradKupferreaktivitätBedeutung
G1 Mild< 300 ÅKorrosion ist kein Faktor für die Zuverlässigkeit der Geräte
G2 Moderat< 1.000 ÅKorrosionswirkungen sind messbar und können die Zuverlässigkeit beeinflussen
G3 Rau< 2.000 ÅHohe Wahrscheinlichkeit korrosiver Angriffe
GX Schwer≥ 2.000 ÅNur speziell ausgelegte und gekapselte Geräte halten voraussichtlich stand

Die Ausgabe 2013 der ISA-71.04 verlangt zusätzlich die Silberreaktivität; der höhere der Kupfer- und Silberwerte bestimmt den Schweregrad. Höhere Feuchte erhöht die Korrosionsrate bei gleicher Gaskonzentration.

Medium passend zum Kontaminanten

Chemiefilter entfernen Gase auf zwei Wegen. Aktivkohle adsorbiert Moleküle physikalisch an ihrer sehr großen inneren Oberfläche, was für die meisten organischen Stoffe gut funktioniert. Kleine, reaktive Gase wie Ammoniak, HCl oder H₂S hält reine Kohle nur schwach, deshalb wird das Medium mit einer Chemikalie imprägniert, die mit ihnen reagiert (Chemisorption) und sie fest bindet.

Typische Medien je Kontaminantenfamilie
KontaminantenfamilieBeispieleMedium (Yiding-Sorte)Mechanismus
SäurenHCl, HF, SO₂, NO₂KOH-imprägnierte Kohle (MM-9000); gekapselte Sorte 875Adsorption + Neutralisation
BasenAmmoniak, AminePhosphorsäure-imprägnierte Kohle (MM-7000); gekapselte Sorte 147Adsorption + Neutralisation
Organische Stoffe / VOCLösemittel, Siloxane, GerücheAktivkohle (MM-3000); gekapselte Sorte 853Physikalische Adsorption
Schwefel- und oxidierbare GaseH₂S, SO₂Permanganat-Aluminiumoxid (MM-1000)Oxidation

Die Filterbauform wählen

  • Gekapselte Aktivkohlefilter halten das Granulat in Vlies und geben kaum Partikel ab, geeignet für Außen- und Umluft in Fabs.
  • Granulat-Schüttbetten fassen am meisten Medium für höhere Konzentrationen bei geringer Anströmgeschwindigkeit.
  • Wabenfilter haben bei hohem Volumenstrom wenig Widerstand für niedrige Konzentrationen, etwa in FFUs.
  • Medien schichten oder mischen, wenn mehrere Kontaminantenfamilien vorkommen, und hinter losem Granulat einen Partikelfilter vorsehen.

Wo Chemiefilter sitzen

  • Außenluftgeräte: entfernen Außenschadstoffe wie SO₂, NO₂ und Ozon, bevor sie ins Gebäude gelangen.
  • Umluftwege und FFUs über empfindlichen Anlagen: entfernen in der Fab freigesetzte Stoffe, etwa Ammoniak aus Reinigungsmitteln oder Säuren aus Nassbänken.
  • Anlagen- und Stockergehäuse: bieten die engste Kontrolle dort, wo Wafer zwischen Prozessschritten warten.
  • Leitwarten und Elektroräume: halten die Luft in ISA-71.04 G1 zum Schutz der Elektronik.

Benötigte Angaben für die Auslegung

Standzeit und Abscheideleistung hängen ganz von den Bedingungen vor Ort ab. Für Medium und Betttiefe brauchen wir die Zielgase und ihre Konzentrationen, Volumenstrom, Temperatur und relative Feuchte sowie die geforderte Abscheidung oder Standzeit. Ist die Gaszusammensetzung unbekannt, ist eine Luftprobenahme am Außenluftansaug oder im Raum der erste Schritt; Reaktivitätscoupons geben kostengünstig ein Bild davon, wie korrosiv die Luft ist.

Nach dem Einbau werden Chemiefilter durch Messung der Reinluft, durch Coupons oder durch Analyse von Medienproben auf ihre Restkapazität geprüft. Anders als Partikelfilter warnen sie kaum über den Druckverlust, denn ein Medium kann erschöpft sein, lange bevor sich sein Widerstand ändert.

Häufige Fragen

Warum entfernt mein HEPA-Filter keine Gerüche?

HEPA-Filter fangen Partikel. Gerüche und andere Gase sind Moleküle, die hindurchgehen; dafür braucht es Aktivkohle oder chemische Medien.

Wie lange hält ein chemisches Medium?

Das hängt von der Schadstoffbelastung ab. Sie wird aus Konzentration, Volumenstrom und Bedingungen abgeschätzt und durch Messung der Abluft oder Prüfung von Medienproben bestätigt.

Wo werden Chemiefilter eingebaut?

Typischerweise im Außenluftgerät und in Umluft- oder FFU-Wegen, die empfindliche Prozessbereiche versorgen, hinter den Partikelvorfiltern.

Zeigt der Druckverlust, wann chemische Medien zu wechseln sind?

Nein. Chemische Medien können erschöpft sein, ohne dass sich der Druckverlust merklich ändert. Nutzen Sie stattdessen Reinluftmessung, Coupons oder Medienprüfung.

Quellen

  1. ISO 14644-8:2022. Cleanrooms and associated controlled environments. Part 8: Assessment of air cleanliness for chemical concentration (ACC). iso.org/standard/76890.html
  2. SEMI F21. Classification of Airborne Molecular Contaminant Levels in Clean Environments. SEMI.
  3. ANSI/ISA-71.04-2013. Environmental Conditions for Process Measurement and Control Systems: Airborne Contaminants. International Society of Automation.
  4. MacDonald, S. A., et al. Airborne chemical contamination of a chemically amplified resist. Proceedings of SPIE 1466, Advances in Resist Technology and Processing VIII (1991).
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